[发明专利]半导体高阶制程蚀刻装置硅部件的再生清洗和返修方法在审
| 申请号： | 202010685534.8 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111900070A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 廖宗洁;贺贤汉;王云鹏;汤高 | 申请（专利权）人： | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B08B3/08;B08B7/00;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体高阶制程蚀刻装置硅部件的再生清洗和返修方法，通过预处理，即氨水双氧水、氢氟酸刻蚀去除硅部件表面沉积膜层，刻蚀裸露的硅基材表面少量的二氧化硅，使得在物理抛光前，硅部件表面洁净，不会在物理抛光时候对硅部件产生划伤；然后通过物理抛光改善硅部件的表面，使之光亮并去除等离子刻蚀产生破损层；再使用化学清洗抛光硅部件，刻蚀掉物理抛光过程中产生的浅破损层，并对硅表面进行化学清洗，去除硅部件表面颗粒和金属离子，达到类似新品性能的光洁度和清洁度，使得硅部件完成再生清洗或返修。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 高阶制程 蚀刻 装置 部件 再生 清洗 返修 方法 | ||
【主权项】：
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