[发明专利]一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法有效
| 申请号： | 202010686441.7 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111908433B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李煜;郑博方;张晗;李峰 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 温宏梅;谢松 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法，其包括步骤：提供具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片以及硒粉；将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中，同时，将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中；在惰性气体的保护下，对所述双温区管式炉的载气上游的加热段进行加热，使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值，其后，对所述双温区管式炉的载气下游的加热段进行加热，使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值，并进行保温处理，即得到硒空位缺陷修复后的硒化亚锡纳米片。本发明通过对硒化亚锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复，有效提高了硒化亚锡纳米片的电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硒化亚锡 纳米 片中 空位 缺陷 修复 方法 | ||
【主权项】：
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