[发明专利]一种泄压式半导体石墨坩埚在审

专利信息
申请号: 202010686657.3 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN111996588A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 申请(专利权)人: 大同新成新材料股份有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 杨凯;连慧敏
地址: 037002 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种泄压式半导体石墨坩埚,包括底座,所述底座的顶部设置有石墨坩埚,所述石墨坩埚的外侧设置有多组吸热片,所述石墨坩埚一侧的顶部设置有安装仓,且安装仓的一侧处于石墨坩埚的内部,所述安装仓内部的一侧设置有安装杆,所述安装杆外侧的一侧套设有弹簧B,所述安装杆外侧的中间套设有滑动板,所述安装杆外侧远离弹簧B的一侧套设有封气头,所述封气头与滑动板之间设置有弹簧A,所述安装仓顶部的两侧对称设置有泄压孔;本发明装置通过弹簧A、封气头、安装仓、泄压孔和进气口的配合下,能够对石墨坩埚的内部进行泄压,防止石墨坩埚内部由于气压过大而造成损伤。
搜索关键词: 一种 泄压式 半导体 石墨 坩埚
【主权项】:
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