[发明专利]一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法，通过采用原子层沉积技术将金属前驱体在惰性载气的存在下通入原子层沉积反应室，沉积一层金属单原子层，再以脉冲的方式向原子层沉积反应室通入有机硫前驱体，得到一层金属硫化物分子层，以形成一层分子层的过程为一个ALD周期，通过循环ALD周期，得到所述基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜。本发明的制备方法采用了有机硫化合物取代高毒性的H2S气体作为硫源前驱体，降低有害气体对薄膜制备过程中的安全隐患，具有环保性，该方法制备出的金属硫化物薄膜致密均匀且结晶性较好，并具有优异的电催化性能，可将其应用于电催化领域。