[发明专利]晶圆切割方法和电路板在审
申请号: | 202010690052.1 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN112242352A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 袁建胜;凡会建;李益民;陆立胜;汪学昌;姚赛;张华国 | 申请(专利权)人: | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;H01L25/065 |
代理公司: | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人: | 许书音 |
地址: | 215027 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种晶圆切割方法和电路板,其中,该方法包括:在晶圆的第一面贴合研磨胶膜;对晶圆的第二面进行研磨至目标厚度,且去除晶圆的第一面的研磨胶膜;在晶圆的第二面涂设一层绝缘胶层;对绝缘胶层进行半固化处理;在晶圆的第二面的绝缘胶层上贴划片膜;在晶圆的第一面进行激光开槽,切割至晶圆的硅层,形成第一切割槽;在第一切割槽上进行机械切割,切割至划片膜,以形成芯片单元。本申请实施例中的晶圆切割方法能够减少晶圆切割时的崩缺。 | ||
搜索关键词: | 切割 方法 电路板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造