[发明专利]大尺寸掺杂YIG单晶薄膜材料及制备方法

摘要

本发明公开了大尺寸掺杂YIG单晶薄膜材料及制备方法，属于薄膜材料技术领域，其化学分子式为Y3‑xAxFe5‑yByO12，其中，A为离子半径大于Y离子的比如La、Gd、Tb、Dy、Nd、Eu中的至少一种金属元素，B为用于对Fe离子位进行部分替换的比如Al、Ga、Pt、Ge、Si、Zr、Sc中的至少一种元素；本发明通过液相外延法制备出3英寸厚度20μm以上的饱和磁化强度800‑1750Gs的铁氧体单晶薄膜，薄膜的饱和磁化强度范围较宽，有利于实现单晶薄膜在多频段微波器件中的应用；薄膜的粗糙度RMS可以降至0.37nm，且与GGG衬底晶格匹配良好，生产效率显著提高。