[发明专利]用于半导体处理系统的喷淋头装置在审
| 申请号： | 202010691019.0 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242324A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | T·E·布隆伯格;V·沙尔玛 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张秀芬 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了在整个晶片上形成副产物的恒定分压以及气体分子的恒定停留时间，可以使用双喷淋头反应器。双喷淋头结构可以针对蚀刻剂以及所述副产物实现空间上均匀的分压、停留时间和温度，由此在整个所述晶片上产生均匀蚀刻速率。系统可以包含对所述反应器进行差动泵送。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 系统 喷淋 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
