[发明专利]并联栅极环绕结构鳍式晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010691081.X | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111785636A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及并联栅极环绕结构鳍式晶体管的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，形成的栅极结构中的靠近漏极一侧的栅介质层的厚度大于靠近源极一侧的栅介质层的厚度，而使靠近漏极一侧的栅介质层所覆盖的沟道区的第一阈值电压大于靠近源极一侧的栅介质层所覆盖的沟道区的第二阈值电压，在半导体器件导通时，第一阈值电压区的反型电流小于第二阈值电压区的反型电流，从而使第一阈值电压区功能上类似于LDMOS中的漂移区，并在具有不同厚度的栅介质层的形成过程中，无论光刻胶偏向任何一侧的多晶硅栅去除区域，最终形成的相邻两栅极结构中的靠近漏极一侧的栅介质层的总长度不变，使形成的并联栅极环绕结构鳍式晶体管的性能更优。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 栅极 环绕 结构 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
