[发明专利]形成槽的方法和形成槽的装置在审
| 申请号： | 202010691697.7 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112447912A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 冈本浩和 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/44;H01L31/0224;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成槽的方法和形成槽的装置，对包含第一层、形成在第一层上的第二层(半导体层)、形成在第二层上的第三层(透明电极层)的层结构(薄膜太阳能电池)的第二层和第三层同时进行激光加工来形成槽，减少第三层的剥离。P3工序中对包含背面电极层(23)、形成在背面电极层(23)上的光吸收层(25)、形成在光吸收层(25)上的透明导电膜(27)的层结构的光吸收层(25)和透明导电膜(27)同时进行激光加工来形成第三分割槽(27a)。第一工序中在透明导电膜(27)的预定形成槽的部分(27b)的局部形成贯穿至光吸收层(25)的通气通道(33)。第二工序在第一工序后，通过对光吸收层(25)的预定形成槽的部分(25b)和透明导电膜(27)的预定形成槽的部分(27b)进行激光加工来形成第三分割槽(27a)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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