[发明专利]局部表面涂层缺陷修补工艺在审
| 申请号： | 202010691864.8 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112239861A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | J·麦洛阿;G·萨姆索尼兹;M·科恩布鲁斯;S·金;B·科津斯基;J·克里斯滕森 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨婧妍;王玮 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及局部表面涂层缺陷修补工艺。一种生产涂层的方法。方法包括确定基体上的涂层的表面缺陷区域和表面缺陷的位置。方法还包括通过使用SALD反应器经由空间原子层沉积（SALD）基于表面缺陷的位置向表面缺陷区域施加校正涂层区域来选择性地且局部地校正表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 表面 涂层 缺陷 修补 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
