[发明专利]通过相分的发射层图案化制造的QLED在审

专利信息
申请号: 202010692173.X 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN112289939A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 恩里科·安焦尼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 王娟
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种发光器件,包括整合式电荷传输与发射层(CCTEL)。发光器件包括阳极,阴极以及设置在阳极和阴极之间的CCTEL,该CCTEL包括交联的电荷传输材料和量子点。所述量子点在所述交联的电荷传输材料中不均匀地分布。量子点可以从交联的电荷传输材料相分,由此量子点形成至少部分在CCTEL内的层,且在CCTEL的最靠近阴极或阳极的外表面处或附近。随着溶剂中包括交联材料和量子点的混合物在溶剂中的沉积,量子点可以至少部分地从交联材料相分。量子点可以至少部分地响应于激活刺激,例如曝光于UV光,而与交联材料相分。
搜索关键词: 通过 发射 图案 制造 qled
【主权项】:
暂无信息
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