[发明专利]提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及实现方法有效
| 申请号： | 202010694335.3 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799257B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升高压集成电路防负电流闩锁能力的保护环及实现方法，通过在现有保护环结构的高浓度P型掺杂(27)下方加入P型ESD离子注入(20)，并于所述P型ESD离子注入(20)的正下方加入低压P阱离子注入(21)，可实现提升高压集成电路防负电流冲击模式的闩锁能力，减少高压器件NLDMOS内保护环的宽度，节省版图面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 高压 集成电路 电流 能力 保护环 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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