[发明专利]闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明的一种闪存存储器及其制造方法。该方法中，在形成至少部分顶表面低于初始浮栅层的隔离层后，将之后形成的掩模功能层其覆盖隔离层的部分与覆盖初始浮栅层的部分的顶表面平齐设置，从而使得掩模功能层中位于隔离层上的部分不会相对于位于初始浮栅层上的部分出现内凹的现象，使得掩模功能层的顶表面平坦化，进而在后续研磨去除位于平坦的掩模功能层上的源线材料层时，不需要过研磨该掩模功能层，有利于保证依托该掩模功能层形成的字线的高度，进而降低所制备出的闪存存储器的编程串扰的程度。