[发明专利]一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺在审

专利信息
申请号: 202010694662.9 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN111799188A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 严立巍;陈政勋;李景贤 申请(专利权)人: 绍兴同芯成集成电路有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/48;H01L23/48
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 王依
地址: 312000 浙江省绍兴市越城区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺,包括以下步骤:S1、晶圆键合玻璃载板,在背面制作TSV连通孔;S2、在TSV连通孔电镀形成Ni/Pd/Cu种子层;S3将Cu填充入TSV连通孔;S4、做晶圆铜柱凸块;S5、电镀Ni/Pd/Au金属叠层;S6、在玻璃载板的背面制作TGV连通孔;S7、在TGV连通孔电镀形成Ni/Pd/Cu种子层,S8、将Cu填充入TGV连通孔并形成铜柱凸块;S9、在玻璃载板的背面形成RDL;S10、蚀刻除多余Ni/Pd/Cu种子层;S11、玻璃载板铜柱凸块表面电镀Ni/Pd/Au金属叠层;S12、将TSV及TGV的连通孔连线分别焊接Clip或Board,完成3D架构。本发明不需要Cu CMP工序的TSV/TGV平坦填孔电镀,正反面分别完成TSV及TGV的连通孔连线制作双面布线连接,可上下再焊接Clip或是Board,完成高集积度、低延时传导的3D架构。
搜索关键词: 一种 利用 tsv tgv 减薄晶圆 封装 工艺
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