[发明专利]一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺在审
申请号: | 202010694662.9 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN111799188A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/48 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种利用TSV和TGV的减薄晶圆封装工艺,包括以下步骤:S1、晶圆键合玻璃载板,在背面制作TSV连通孔;S2、在TSV连通孔电镀形成Ni/Pd/Cu种子层;S3将Cu填充入TSV连通孔;S4、做晶圆铜柱凸块;S5、电镀Ni/Pd/Au金属叠层;S6、在玻璃载板的背面制作TGV连通孔;S7、在TGV连通孔电镀形成Ni/Pd/Cu种子层,S8、将Cu填充入TGV连通孔并形成铜柱凸块;S9、在玻璃载板的背面形成RDL;S10、蚀刻除多余Ni/Pd/Cu种子层;S11、玻璃载板铜柱凸块表面电镀Ni/Pd/Au金属叠层;S12、将TSV及TGV的连通孔连线分别焊接Clip或Board,完成3D架构。本发明不需要Cu CMP工序的TSV/TGV平坦填孔电镀,正反面分别完成TSV及TGV的连通孔连线制作双面布线连接,可上下再焊接Clip或是Board,完成高集积度、低延时传导的3D架构。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 tsv tgv 减薄晶圆 封装 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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