[发明专利]一种层状双氢氧化物纳米片-硫化铜量子点异质纳米复合体的制备方法有效
| 申请号： | 202010695427.3 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111840548B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈爱政;刘晨光;王士斌 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | A61K41/00 | 分类号： | A61K41/00;A61K49/22;A61P35/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01F7/00;C01G3/12 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;姜谧 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子点异质纳米复合体的制备方法，采用原位生长法，将硫化铜量子点生长于层状双氢氧化物纳米片上，利用聚合物限域作用，CuS独立地散步于LDH上而不发生团聚。本发明制得的层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子点异质纳米复合体一方面具有光热性质，能将近红外光照后转化热能，发挥肿瘤光热治疗效果；另一方面，所形成的金属‑半导体异质结构有助于硫化铜在近红外光照下电子和空穴的分离，从而更高效地催化肿瘤细胞内产生具有生物毒性的活性氧，杀死肿瘤细胞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 氢氧化物 纳米 硫化铜 量子 点异质 复合体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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