[发明专利]含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010696593.5 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111816855B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 易旭 | 申请（专利权）人： | 湖南金硅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;C23C16/26;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人： | 宁星耀;姜芳蕊 |
| 地址： | 413000 湖南省益阳市高*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法：将一氧化硅颗粒和硅颗粒加入到无水乙醇中混合，超声分散；加入树脂，加热使树脂溶解，搅拌研磨，喷雾干燥；热处理，使树脂先发泡再碳化；在表面放置镁片，真空条件下热处理；放入化学气相沉积炉中，进行表面碳沉积，即成。本发明所得含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料具有独特的双层包覆结构，小粒径一氧化硅和硅化镁均匀分散在碳材料中，用于制作锂离子电池负极，锂化速率提高3~4.5倍；本发明制备方法，操作简单，成本低，易于工业化生产；所得电池负极材料能大幅度提高锂离子电池的首次库伦效率，延长其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 含镁 氧化 树脂 cvd 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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