[发明专利]光掩膜制作方法在审
| 申请号： | 202010696907.1 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111766761A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 董明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭示公开一种光掩膜制作方法，包含下列步骤：提供集成电路(IC)设计布局；针对所述IC设计布局施行第一设计工艺，得到第一掩膜数据；施行第一验证工艺，判断出所述第一掩膜数据中不符设计规则的异常图案；仅针对包含所述异常图案的修正区域施行第二设计工艺，以得到第二掩膜数据；将所述第二掩膜数据中对应所述异常图案的掩膜数据部分替换所述第一掩膜数据中对应所述异常图案的掩膜数据部分，得到修正后的第一掩膜数据；及根据修正后的第一掩膜数据制作光掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 制作方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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