[发明专利]一种多级微结构栅薄膜晶体管柔性压力传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010697191.7 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN111811701B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 魏大鹏;唐新悦;余崇圣;杨俊;史浩飞 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01L9/08;H01L29/786;H01L29/49;H01L21/04
代理公司: 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人: 郭丽
地址: 400714 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种多级微结构栅薄膜晶体管柔性压力传感器及其制备方法,传感器包括依次设置的基底层、沟道层、栅介质层和力接收层,基底层上设置源电极和漏电极,源、漏电极为叉指电极结构,沟道层设置在叉指电极的沟道内,栅介质层设置在源、漏电极和沟道层的上方,力接收层的下表面包括向下凸起的、至少三种尺寸的多级微结构,力接收层的下表面还包括均匀设置在其多级微结构上的栅电极。本发明制备的压力传感器,通过引入多级微纳结构,提高了柔性压力传感器综合性能,实现柔性压力传感器在较大的量程范围内保持高灵敏度,同时增加压力传感器的高灵敏度线性区范围,降低压力传感器迟滞。本发明制备的传感器结构简单,获得了优异的器件性能。
搜索关键词: 一种 多级 微结构 薄膜晶体管 柔性 压力传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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