[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010697207.4 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112002801B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 邱泰玮;沈鼎瀛;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和/或顶部电极金属层的横向宽度，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层，所述阻氧层位于所述阻变层之上；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层，所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度，所述抓氧层位于所述阻氧层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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