[发明专利]一种具有高饱和磁化强度的稀土高熵合金材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010698014.0 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111719076A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 马垒;卢世翻;饶光辉;王江;杜玉松;李林;赵景泰 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;H01F1/147 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290‑300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 饱和磁化强度 稀土 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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