[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010698114.3 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542458A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 何家铭 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板；多个着陆垫，设置在该基板之上，该些着陆垫的至少一者包括一电容插塞的一突出部分与位于该突出部分之上的一第一间隔物，其中该第一间隔物的一宽度大于该电容插塞的一宽度；设置在该基板之上的多个位元线接触和分别设置在该些位元线接触之上的多个位元线，该位元线为延伸于两个相邻电容接触之间的一波状条纹；以及多个电容结构，分别设置在该些着陆垫之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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