[发明专利]一种结型积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010698288.X | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111725320A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种结型积累层碳化硅横向场效应晶体管及其制作方法。该器件设置积累介质层，覆盖N型漂移区表面以及N |
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| 搜索关键词： | 一种 积累 碳化硅 横向 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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