[发明专利]一种等离激元辅助的芯片三维微纳结构的光学测量方法有效
| 申请号： | 202010698514.4 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111721206B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 余安琪;杨振宇;郭旭光;朱亦鸣 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;G01B11/02;G01B11/06;G01B11/14;G06F30/23 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光学测量领域，提供了一种等离激元辅助的芯片三维微纳结构的光学测量方法，用于测量三层交叉周期性金属光栅的结构参数，包括以下步骤：步骤1，将入射光从三层交叉周期性金属光栅的第一层光栅正入射后测量得到实测反射光谱；步骤2，对三层交叉周期性金属光栅进行电磁仿真，构建仿真结构，在相同入射光下对仿真结构中的结构参数进行多次调整，并对应得到多组仿真反射光谱；步骤3，将多组仿真反射光谱与实测反射光谱进行对比，并通过回归算法计算方差，当某组仿真反射光谱与实测反射光谱的方差最小时，该组仿真反射光谱对应的仿真结构的结构参数即为三层交叉周期性金属光栅的结构参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离激元 辅助 芯片 三维 结构 光学 测量方法 | ||
【主权项】：
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