[发明专利]一种晶圆双面金属工艺在审
| 申请号： | 202010699004.9 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111799152A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆双面金属工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面金属工艺，包括以下步骤：通过研磨或蚀刻晶圆的一端面，使得所述晶圆呈中央薄且边缘厚；对所述晶圆的另一端面进行金属镀膜；对所述晶圆的一端面涂布聚酰亚胺，并加热，使所述聚酰亚胺硬化，形成聚酰亚胺涂层；在所述晶圆的另一端面依次进行光阻涂布、曝光与显影；去除涂布在所述晶圆的另一端面的光阻，以及所述聚酰亚胺涂层，清洗所述晶圆；对所述晶圆的一端面进行金属镀膜；将所述晶圆固定在切割模框上，使用含氟电浆或雷射进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 金属工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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