[发明专利]缓存器件及制作方法有效
| 申请号： | 202010701234.4 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111863060B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 毕冲;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/22;H10B61/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种缓存器件及制作方法，应用于缓存技术领域，包括：包括依次连接设置的第一场效应管、磁性隧道结、电极以及第二场效应管；第一场效应管，配置为提供写入电流，并通过栅极控制写入电流的通断；磁性隧道结包括依次设置的非铁磁层、第一铁磁层、隧穿层、第二铁磁层以及钉扎层；非铁磁层，配置为提供写入电流输入的横向通道；第一铁磁层，配置为基于类场自旋矩，产生可变的第一磁化方向；隧穿层，配置为位于第一铁磁层和第二铁磁层之间；第二铁磁层，配置为具有固定的第二磁化方向；钉扎层，配置为保持第二磁化方向；电极，配置为连接磁性隧道结与第二场效应管；第二场效应管，配置为通过栅极控制第二场效应管的通断，以读取阻态。 | ||
| 搜索关键词： | 缓存 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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