[发明专利]高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置在审
| 申请号： | 202010701252.2 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111710639A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 邓元;王赫;张玮峰;赵未昀;胡少雄 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学杭州创新研究院 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 张雄 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置，包括有支撑装置、位于支撑装置上方基片保持器、连接支撑装置与基片保持器并用于带动基片保持器相对于支撑装置水平位移的水平移动单元、位于基片保持器上方的载荷夹具、连接支撑装置和载荷夹具并用于带动载荷夹具相对于支撑装置竖直位移的竖直移动单元、位于载荷夹具上方的光学观测单元和连接支撑装置和光学观测单元并用于带动光学观测单元相对于支撑装置水平或竖直位移的支架移动单元，载荷夹具中部设置有观测孔。如此设置，本设备简单，成本低，可以实现非硅基基片与各种掩模板的对准，以及多层图案连续多次对准，有利于提升非硅基薄膜器件的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 阵列 结构 非硅基 薄膜 器件 制备 对准 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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