[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010703012.6 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112366263B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 周宏敏;唐超;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制备方法，其中的发光二极管包括图形化衬底、缓冲层、三维成长层、二维成长层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中在三维成长层和二维成长层之间生长缺陷转向层，缺陷转向层可以阻挡图形化衬底的凸起顶部的缺陷延伸，并使二维成长层不在凸起顶部进行横向合并，而是在凸起顶部两侧的附近进行横向合并，从而减少位错，降低非辐射复合，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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