[发明专利]一种空气隙石墨烯场效应管结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010705457.8 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111969037A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;陈寿面;钟晓兰;沈若曦 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路的技术领域，公开了一种空气隙石墨烯场效应管结构，使用石墨烯材料作为沟道，所述沟道的上下表面均部分或者全部与空气或者真空接触。所述石墨烯材料设置为氧化石墨烯材料通过旋涂在沟道位置后，经过高温还原得到。在石墨烯材料的沟道上下方均设置空气隙，形成悬浮式沟道，从而改善了石墨烯沟道与其它材料接触引起其载流子迁移率大幅度下降的问题，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，提高石墨烯器件的电学特性，而通过氧化石墨烯旋涂到沟道位置，再进行高温还原得到石墨烯，形成石墨烯沟道，可以最大程度地提升工艺的可操作性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 石墨 场效应 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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