[发明专利]基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件有效
| 申请号： | 202010706664.5 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111900619B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林必波;许兴胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/20;H01S5/34;H01S5/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SiN微盘夹心层结构的单光子源的制备方法及器件，包括在硅基衬底上沉积SiN薄膜，在SiN芯片上制备SiN波导层，得到SiN波导阵列结构，在SiN波导层上沉积二氧化硅找平层，在二氧化硅找平层上沉积并制备SiN微盘夹心层结构；SiN微盘夹心层结构的有源层是量子点薄层。本发明可以采用垂直激光的泵浦，使得量子点受激发光。通过设计合理尺寸的微盘结构，使得微盘边缘处的量子点受激发光产生的光子与微盘发生谐振作用。最后谐振光耦合进SiN波导中，实现光在波导中传输，在波导的输出端口采用光纤收集测试光子数。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sin 夹心 结构 光子 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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