[发明专利]一种单晶GeSe三角形纳米片阵列材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010707329.7 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111945227A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张析;向钢;李学燕 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/02;C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米材料技术领域，具体涉及一种单晶GeSe三角形纳米片阵列材料的制备方法及其应用。本方法采用物理气相沉积（PVD），所述制备步骤包括：（1）衬底清洗；（2）单晶GeSe三角形纳米片阵列生长：①GeSe粉末和衬底分别放置双温区管式炉高温区和低温区中心；②抽真空至炉内压强为10~50 Pa，以10~60 sccm通入惰性气体使压强为400~800 Pa，将低温区升至50~150℃，高温区升至350~530℃，保温1~3 h获得GeSe材料。GeSe三角形纳米片在近红外区具有温度相关的光致发光性质，可应用于光电器件。本发明提供的制备方法具有工艺简单、质量高和成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gese 三角形 纳米 阵列 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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