[发明专利]基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法在审
| 申请号： | 202010708749.7 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111807318A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 侯占强;吴学忠;肖定邦;邝云斌;肖斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 董惠文 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于玻璃回流工艺的TGV衬底制备方法及MEMS器件封装方法，该TGV衬底制备方法包括硅片表面氧化、制作浅槽图形和深槽图形、刻蚀、再次刻蚀、再次氧化、玻璃回流和后处理；该MEMS器件封装方法利用该TGV衬底制备方法制备得到的TGV衬底对MEMS器件进行真空封装。本发明提供的MEMS器件封装方法可以同时实现横向和纵向互连，同时不需要向玻璃通孔中填充金属来实现芯片的垂直互连，本发明的MEMS器件封装方法具有气密性好、热应力小、寄生效应小、引线互连方式灵活等突出优点，有利于提升MEMS器件性能，因此具有非常好的应用潜力和发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 玻璃 回流 工艺 tgv 衬底 制备 方法 mems 器件 封装 | ||
【主权项】：
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