[发明专利]TOPCon电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种TOPCon电池的制备方法，包括制备硅片正面掩膜层，该掩膜层用于阻挡poly‑Si绕镀；所述制备硅片正面掩膜层的具体步骤包括溶液沉积和高温固化；溶液沉积采用旋涂、喷涂或滚涂，沉积的溶液为硅溶胶或铝溶胶，制备的掩膜层为SiOx层、SiNx层、SiC层或Al2O3层。本发明制备的掩膜层能很好的阻挡背面磷扩散的边缘绕镀，使正面pn结不被破坏；在清洗绕镀poly‑Si时，制备的掩膜层能保护正面硼扩散层不被破坏的同时使绕镀的poly‑Si能在碱性或酸性环境下清除干净；掩膜层的去除方式简单，能在低浓度HF溶液条件下除去且无残留，对电性能无影响。