[发明专利]一种宽条形半导体激光器及其制作方法、倾斜取样光栅制作方法在审

专利信息
申请号: 202010709275.8 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111969413A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 郝丽君;施跃春;赵雍;陈向飞 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/125;H01S5/065;H01S5/223;H01S5/40;G02B5/18
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 南霆
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种宽条形半导体激光器及其制作方法、倾斜取样光栅制作方法,解决现有宽条形半导体激光器激射功率低且波长精度差的问题。所述宽条形半导体激光器,包含:条形波导、倾斜取样光栅;所述宽条形半导体激光器的上、下波导层为所述条形波导,光栅材料层为所述倾斜取样光栅;所述条形波导为宽条形平板波导,波导宽度大于等于170微米;所述倾斜取样光栅,在均匀基本光栅上叠印倾斜取样图案制作而成。所述宽条形半导体激光器的制作方法用于所述激光器。所述倾斜取样光栅制作方法用于制作所述宽条形半导体激光器的倾斜取样光栅。本发明实现了高功率高精度的半导体激光器。
搜索关键词: 一种 条形 半导体激光器 及其 制作方法 倾斜 取样 光栅
【主权项】:
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