[发明专利]一种降低接触电阻的LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种降低接触电阻的LED外延结构，包括基板及依次层叠设置在基板上的低温GaN缓冲层、不掺杂Si的GaN层、掺杂Si的GaN层、发光层、掺杂Mg的Al型GaN层、掺杂Mg的GaN层、接触层以及ITO层，在ITO层上设置P电极，在掺杂Si的GaN层上设置N电极；接触层包括至少一层接触单层，所述接触单层由掺杂In和Mg的GaN层以及掺杂Mg的GaN层构成。本发明的LED外延结构中由掺杂In和Mg的GaN层以及掺杂Mg的GaN层构成接触层位于掺杂Mg的GaN层和ITO层之间，它和ITO接触功函数比pGaN和ITO接触功函数要低很多，独特结构的接触层能有效降低pGaN外延层和ITO的接触电阻，有效地降低驱动电压，从而提高产品的光效品质。本发明还公开一种上述LED外延结构的生长方法，工艺精简，便于工业化生产。