[发明专利]一种高Cd富集量的滇楸选育方法有效

专利信息
申请号: 202010710958.5 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111820023B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 童方平;刘振华;李贵;陈瑞;吴敏 申请(专利权)人: 湖南省林业科学院
主分类号: A01G2/10 分类号: A01G2/10;A01G17/00;A01H1/04;A01B79/02
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 魏龙霞
地址: 410000 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种高Cd富集量的滇楸选育方法:从Cd污染土壤上生长的滇楸树中随机选取若干茎、叶样品,并测定Cd富集量;分别从Cd富集量相对较大的样品对应的滇楸树上采集根段和枝条;将各组滇楸根段和枝条分别进行扦插,得到若干组滇楸苗;在每组滇楸苗中分别选出试验滇楸苗,种植于Cd污染地区,试验滇楸苗经过生长3‑5年后,测定其根、茎、叶器官中的Cd含量,选择根、茎、叶器官中平均Cd富集量最大的试验滇楸苗组对应的品种作为高Cd富集量的滇楸品种。每年只需采集高Cd富集的滇楸优良无性系枝条或/和根段,繁殖的苗木栽植于Cd污染矿区,就可较好地实现Cd污染土壤植被生态修复,对Cd污染地区土壤的修复具有重要的意义。
搜索关键词: 一种 cd 富集 选育 方法
【主权项】:
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