[发明专利]累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法在审

专利信息
申请号: 202010711526.6 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111812481A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 郭红霞;顾朝桥;潘霄宇;周益春;张凤祁;张文首;柳奕天;琚安安;张鸿;钟向丽;廖敏 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 郑久兴
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法,包括:向样品器件施加预设偏置电压;对施加偏置电压后的样品器件进行辐照直至预设剂量点;测量施加辐照后的样品器件的电学特性参数;基于施加辐照前后的所述样品器件的电学特性参数对所述样品器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。本发明提出的评价方法能够便捷有效的对半导体功率器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。
搜索关键词: 累积 电离辐射 效应 半导体 功率 器件 可靠性 评价 方法
【主权项】:
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