[发明专利]紫外光电二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010711551.4 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111933740B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: H01L31/105 分类号: H01L31/105;H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 付晓娣
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明适用于光电探测技术领域,提供了一种紫外光电二极管及其制备方法,该方法包括:在衬底上依次制备第一接触层和台面结构,并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极,形成第一样品;将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并刻蚀,在台面结构表面区域形成石墨烯透明电极;在形成石墨烯透明电极后的第一样品表面上生长第一介质层并刻蚀,形成石墨烯保护层;刻蚀石墨烯透明电极上的第一介质层,获得上电极对应区域,并在石墨烯透明电极上的上电极对应区域制备上电极,获得紫外光电二极管。本发明通过石墨烯透明电极,有利于拓展整个光子探测有源区下方的电场分布,进而大幅度提高紫外光电二极管的探测效率。
搜索关键词: 紫外 光电二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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