[发明专利]紫外光电二极管及其制备方法有效
申请号: | 202010711551.4 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111933740B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明适用于光电探测技术领域,提供了一种紫外光电二极管及其制备方法,该方法包括:在衬底上依次制备第一接触层和台面结构,并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极,形成第一样品;将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并刻蚀,在台面结构表面区域形成石墨烯透明电极;在形成石墨烯透明电极后的第一样品表面上生长第一介质层并刻蚀,形成石墨烯保护层;刻蚀石墨烯透明电极上的第一介质层,获得上电极对应区域,并在石墨烯透明电极上的上电极对应区域制备上电极,获得紫外光电二极管。本发明通过石墨烯透明电极,有利于拓展整个光子探测有源区下方的电场分布,进而大幅度提高紫外光电二极管的探测效率。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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