[发明专利]背入射式日盲紫外探测器及其制作方法在审
申请号: | 202010711570.7 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111933748A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 谭鑫;周幸叶;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/105 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明适用于紫外光探测器制备技术领域,提供了一种背入射式日盲紫外探测器及其制作方法,该方法包括:在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层;采用激光剥离技术将所述日盲紫外探测器的器件层与所述蓝宝石衬底分离;将分离的所述日盲紫外探测器的器件层键合到透紫外光的基板上。工作时基板背面作为紫外光子入射面,极大地增加了有效入射面积,同时正面电极可以做地尽可能地大,使得垂直方向的电场分布更加均匀,可以大幅度提高探测效率。另外激光剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用,大大降低了日盲紫外探测器的研制成本。 | ||
搜索关键词: | 入射 式日盲 紫外 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010711570.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的