[发明专利]一种特优双全应用的硅象限光电探测器在审
申请号: | 202010712317.3 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111969068A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 卜晖;卜京;王亚赫;朱华海;姚治惠;杨帆 | 申请(专利权)人: | 重庆鹰谷光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/103;G01J1/42 |
代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 400000 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种特优双全应用的硅象限光电探测器,包括超高精度的硅象限光电探测器和光学玻璃片,所述超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面和光学玻璃片的抛光表面各溅射一层单色滤光膜,本发明通过在无光电串扰、无电气干扰、光动态范围大的芯片基础上,再对芯片或探测器增设自滤光的功能;使得其对中心波长的透过率≥88%,背景光的抑制度≤1%,再加之制导系统的滤光功能,从而使得整个制导系统对背景光的抑制度小于万分之一,进而使得设备可以在全天候、全方位的条件下,仍然具有精控和深控的本领,实现更加精准的打击,保证制导系统不受任何背景光的限制,从而获得广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 特优 双全 应用 象限 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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