[发明专利]一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统及工艺在审
| 申请号： | 202010713125.4 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111893554A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 罗福敏;胡昌勇;李勇;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统及工艺，涉及半导体材料制备技术领域。本发明的一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统及工艺，包括单晶炉、真空泵以及压缩氮气瓶，还包括五通球阀，所述单晶炉、真空泵、压缩氮气瓶均与五通球阀通过管道相连通，所述五通球阀和压缩氮气瓶之间的管道上还安装有两个减压阀。本发明公开了一种用于磷化铟单晶VGF工艺的压力控制系统及工艺，能够有效的控制磷化铟单晶生产过程中单晶炉内的压力稳定，避免炸管，从而提高了生产效率，且在一定程度上降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磷化 铟单晶 vgf 工艺 压力 控制系统 | ||
【主权项】：
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