[发明专利]一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法在审
| 申请号： | 202010714452.1 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111696878A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王成森;钱清友;李成军;吴家健;江林华 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法，包括：将基板设置在散热器上；将纳米银焊膏印刷在基板上；在晶圆级芯片上光刻金属Ag；将光刻金属Ag的晶圆级芯片划片得到分立芯片；将分立芯片贴装在纳米银焊膏上；将纳米银焊膏烧结成型得到纳米银焊层；第一引脚通过引线与分立芯片键合连接，第二引脚与基板键合连接；将分立芯片、纳米银焊层、基板、散热器、第一引脚、第二引脚和引线置于塑封壳内，塑封壳塑封成型得到功率器件芯片。本封装结构具有优良的电性能和热性能，可以承受更高的浪涌电流，进而有效的提升电流传输能力，提高其工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 高温 浪涌 加固 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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