[发明专利]一种电场强化分散的纳米SiO2 在审
| 申请号： | 202010714518.7 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111943216A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 颜伟城;王建 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种电场强化分散的纳米SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 电场 强化 分散 纳米 sio base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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