[发明专利]碳酸钾化学活化低阶碳源基多孔碳的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010715641.0 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111977651A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 王丽杰;苗继春;高伟;郭鹏;曹善桥;李森 申请(专利权)人: 大唐可再生能源试验研究院有限公司
主分类号: C01B32/348 分类号: C01B32/348;C01B32/324;C01B32/318;C01B32/205;H01G11/24;H01G11/44
代理公司: 北京中南长风知识产权代理事务所(普通合伙) 11674 代理人: 郑海
地址: 100052 北京市西城区菜市口大*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明目的是提供一种孔隙发达、石墨化度较好,制备过程简单,具有明显的石墨化结构,可在电化学储能如双电层超级电容器电极材料领域加以应用的碳酸钾化学活化低阶碳源基多孔碳的制备方法。本发明的碳酸钾化学活化低阶碳源基多孔碳的制备方法,其将低阶碳源加工成粉末状,并加以干燥;将2—5重量份的碳酸钾溶解于水中,得到碳酸钾溶液,然后向碳酸钾溶液中加入1重量份的步骤A得到的粉末状低阶碳源,再将混入了粉末状低阶碳源的碳酸钾溶液置于搅拌机中搅拌均匀,得到混合物。将步骤B得到的混合物的置于气氛炉内,气氛炉内充有氮气或氩气,让气氛炉以3℃/min—20℃/min的速率升温,将气氛炉升温至900℃—1300℃。
搜索关键词: 碳酸钾 化学 活化 低阶 碳源 基多 制备 方法
【主权项】:
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