[发明专利]一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列

摘要

本发明公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器组成单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器阵列。减小了探测器的有效工作面积，保证探测器低电容的优势。