[发明专利]一种基于上转换薄膜和像元化偏振超材料的硅基红外偏振光谱芯片及上转换薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010717140.6 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111854948A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 石晶;周建伟;蔡红星;任玉;蒋雨鹏;陈雪娇;宋晨智 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | G01J3/02 | 分类号： | G01J3/02 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石连志 |
| 地址： | 130000 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于上转换薄膜和像元化偏振超材料的硅基红外偏振光谱芯片以及上转换薄膜的制备方法，该偏振光谱芯片包括光学聚焦微透镜阵列、像元化偏振超材料阵列、上转换薄膜，光电转换基底。制作所述上转换薄膜的方法包括材料准备，超声分散，磁力搅拌，旋涂匀胶，加热烘焙，观察析出以及薄膜密封等步骤。本发明的芯片以及制备工作方式具有整体生产工艺简单成熟的优点，大幅减轻探测系统的重量和体积，光机系统结构复杂度远低于基于现有技术方案的红外偏振成像装置，有利于系统的微型化。采用像元化偏振超材阵列，不存在运动部件，相对于传统方式的需旋转偏振轮或者波片而言，稳定性非常好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 转换 薄膜 像元化 偏振 材料 红外 光谱 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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