[发明专利]一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法有效

专利信息
申请号: 202010717412.2 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111933309B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 余德良;何小斐;刘亮;陈文锦 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院
主分类号: G21B1/25 分类号: G21B1/25;G21B1/05
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 王婷
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于聚变堆运行杂质密度/浓度监测技术领域,具体涉及一种应用于磁约束聚变堆装置上的杂质浓度测量方法,包括如下步骤:步骤一:磁约束聚变装置上中性束系统注入氢或其同位素到等离子体中,产生中性束发射谱和激发态的类氢离子,继而辐射电荷交换复合光谱;步骤二:通过电荷交换复合光谱诊断系统分别测出相应光谱及相应光谱邻近波长的轫致辐射,并用轫致辐射标定电荷交换复合光谱系统;步骤三:将杂质辐射的电荷交换复合光谱与中性束发射谱进行比值,获得杂质浓度R。本发明通过同步测量电荷交换复合光谱、中性束发射谱以及两者邻近波长的轫致辐射,实现光路被污染过程中系统的标定与获取杂质浓度。
搜索关键词: 一种 应用于 约束 聚变 装置 杂质 浓度 测量方法
【主权项】:
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