[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010717830.1 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111653571B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 乔振杰;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，由于在本发明提供的半导体结构的形成方法中，在初始干法刻蚀回刻蚀所述栅极结构侧壁上阻挡介质层的刻蚀量少的基础上，通过对形成在所述栅极结构侧壁上的所述阻挡介质层执行多次刻蚀工艺，实现逐步去除所述栅极结构侧壁上的目标高度的阻挡介质层，从而既能在去除栅极结构之间的沟槽中的牺牲填充层的过程中，保护所述栅极结构不被消耗，又能最终暴露出目标高度的控制栅层，进而能在栅极结构上形成所需厚度的金属硅化物(即栅极硅化物)。从而避免了对后续器件电学性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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