[发明专利]CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010717998.2 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111725247A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张栋;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种CIS芯片漏源接触孔的自对准刻蚀方法。该方法包括：提供带有接触隔离层的CIS器件；CIS器件的接触隔离层包括由下至上依次覆盖在有源区上的硅化物阻挡层的第一层、硅化物阻挡层的第二层、刻蚀停止层和层间绝缘层；在CIS器件的接触隔离层上，通过光刻工艺，对准CIS器件的源/漏区，定义出接触孔图案；根据接触孔图案，刻蚀层间绝缘层，将接触孔图案转移到层间绝缘层上；根据层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀刻蚀停止层和硅化物阻挡层的第二层，使得第一刻蚀停止面位于硅化物阻挡层的第一层中；根据层间绝缘层上的接触孔图案，刻蚀硅化物阻挡层的第一层，使得第二刻蚀停止面位于CIS器件的侧墙结构中。 | ||
| 搜索关键词： | cis 芯片 接触 对准 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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