[发明专利]一种室温铁磁硅锗锰半导体薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010718907.7 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112063980A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 向钢;张析;王焕明;冯雷豪;汪渊;孙森 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种室温铁磁硅锗锰半导体薄膜的制备方法及应用，其化学组成式Si |
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| 搜索关键词： | 一种 室温 铁磁硅锗锰 半导体 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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