[发明专利]一种具有高耐磨性与抗辐照性能的二硫化钼/钇稳定氧化锆复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010719235.1 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111663110B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 王鹏;程勇;段泽文;赵晓宇 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所;中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/02
代理公司: 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 代理人: 张英荷
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种具有高耐磨性和抗辐照性能的二硫化钼/钇稳定氧化锆复合薄膜(MoS2/YSZ)的制备方法,是先采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备MoS2/YSZ复合薄膜,然后将薄膜进行热退火处理,消除MoS2晶体在磁控溅射生长过程中的本征缺陷;得到的薄膜MoS2(002)取向择优,结晶性能良好,呈现出低摩擦、高耐磨性能(平均摩擦系数0.05,磨损寿命2×105转)和高耐磨抗辐照特性,实现了MoS2/YSZ基复合薄膜低摩擦与抗辐照自适应的一体化,因此,可用于反应堆及聚变堆辐照环境下机械运动部件的润滑。
搜索关键词: 一种 具有 耐磨性 辐照 性能 二硫化钼 稳定 氧化锆 复合 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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